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PSMN2R4-30YLDX

功能描述：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.2V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：31.3nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2256pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：106W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669

标准包装：1

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